出轨的女人

IT之家 8 月 24 日消息，SK 海力士正借助英特尔 EMIB 等先进封装技术打造其下一代 HBM 解决方案，未来将进入 3D 封装阶段。    福满          小年                                        二十三，糖瓜粘，     甜甜蜜蜜阖家欢；     过了小年就是年，     健健康康永平安。

IT之家注意到，在 Hot Chips 2026 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）的简报，阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速其 HBM 路线图。                             趣谈          小年来历                                         俗话说，过了小年就是年。小年通常被视为忙年的开始，意味着人们开始准备年货、扫尘、祭灶等，准备干干净净过个好年，表达了人们一种辞旧迎新、迎祥纳福的美好愿望。由于各地风俗不同，被称为“小年”的日子也不尽相同。                              风俗          扫尘土                    北方称“扫尘”，南方叫“掸尘”，都是意在清除所有污浊，将不顺、不快一并清扫干净，扫地出门，以一番新的气象迎接新年的到来。                                                  家家打扫房屋，意为不让灶王爷把土带走。当时它是先民驱疫鬼，祈安康的宗教仪式。

二 | 该公司首先介绍了 HBM 目前的制造方式。后“尘”与“陈”谐音，故扫尘也就是把陈旧的东西一扫而光，这既指庭院内的陈年积垢，也指旧岁中遇到的不快。HBM 结构由 3D 堆叠结构组成，通过 TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到基底裸片（base die）。                             新春          剪窗花                              剪窗花最盛行的民俗活动。

三 | HBM 目前最高可达 16 层，即 16-Hi 堆叠。一把普普通通的剪刀，就能创造出一张张千姿百态的图案。

四 | 贴满家中的角角落落，装点着节日的浓浓氛围，也传承着中华民族几千年的生活智慧。                                                                               小朋友们亲手剪窗花、贴窗花，为我们幸福的大家庭添上别样的美丽。HBM 与 GPU 是独立的芯片，但通过 2.5D 封装安装在同一个硅中介层上。这些作品也许不完美，但是每一幅都充满了孩子们的热爱与想象。                              欢喜          贴福字                    “福”字代表着幸福、福气、福运等美好的祝愿，家长朋友可以引导孩子们利用绘画的方法表现福字，并让孩子们把画好的“福”字送给家人和小伙伴们。                                                                               喜庆的中国红，一张张写满吉利的福印，庇护着全家的平安幸福，寄托着人们美好的新年祈愿。                                                                      甜蜜          吃灶糖                    灶糖是一种麦芽糖，又称麻糖，粘性很大，把它抽为长条形的糖棍称为“关东糖”，拉制成扁圆形的就叫做“糖瓜”。每个 HBM 模块还通过硅中介层包含 1024 个 IO 和 16 个通道，这些 IO 通过 PHY 将 HBM 堆叠连接到 XPU。HBM 作为 DRAM 解决方案之所以重要，是因为它节省空间、功耗和运营成本。祭灶时要把灶糖融化，涂在灶王爷的嘴上，让灶王爷别说坏话。后来，逐渐演变成了小孩小年必吃的零食。                                                           小年到，吃粘糖，黏住快乐幸福长。小年到，发祝福，送去吉祥年年好。宝贝们吃的香喷喷，笑的乐陶陶，小年喜滋滋。典型的 GDDR6 方案可提供 24GB 容量和 768GB/s 带宽，而配备四个堆叠的 HBM3E 方案可节省多达一半的空间，同时提供高达 144GB 容量和 4TB/s 带宽。                                                  年味          吃饺子                    每逢小年，在北方晚上习惯吃饺子，小年夜吃饺子是为灶王爷送行，取意“送行饺子迎风面”。饺子作为最具代表的节日美食，又被称为“娇耳”、“交子”，是新旧交替的意思。                                                           小朋友们坐在一起，和面、调馅儿、揉面、擀饺子皮，吃着热乎乎的饺子，其乐融融，共同迎接新年的到来。                                        美满          绘本欣赏                    从小年这天起，人们就开始为过春节做准备了，各家各户都做什么迎接春节呀？一起来阅读关于小年的绘本故事吧。

五 |                                                                      年是家人期盼的日子，     年是亲人团圆的日子。    小年已至，大年不远。    一年的辛苦，一年的付出，     只为岁末的团圆喜乐     愿您和您的家人幸福团圆，     平安喜乐！                                                  图文｜ 张鸣玥          排版｜ 张鸣玥          责编｜ 穆 晔          沈北新区第三幼儿园          地址：沈北新区蒲昌路44号          电话：88926829。SK 海力士目前的路线图将 HBM4 作为顶级产品，DRAM 密度高达 24Gb，容量最高达 36GB，总计 2048 个 IO 位，IO 速度最高 8Gbps，带宽达 2048GB/s。

HBM4 的封装高度和尺寸都有所增加，集成的 TSV 和微凸点也比 HBM3E 更多。具体成果如下：带宽超过 2TB/s功耗效率提升 40% 以上相比 HBM3E 耐热性提升 14% 以上容量最高 48GB（12-Hi 已量产，16-Hi 正在认证中）Z 轴高度 775 微米，尺寸 12.8x11 平方毫米16,148 个底部微凸点超过 2 万个 TSV

目前主要有两种 HBM 封装技术：热压键合 + 非导电膜（TC+NCF）和整体回流 + 模塑底部填充（MR+MUF）。

六 | TC+NCF 对芯片翘曲问题有更好的抵抗力，但热阻更高、生产率较低。MR+MUF 生产率更高、热阻更低，但更容易出现芯片翘曲，且在间隙填充方面存在缺陷。

七 | SK 海力士还重点介绍了其 HBM 工艺流程，包括从晶圆厂到客户系统的六个关键阶段。

SK 海力士在 HBM 封装中集成了四项关键技术，包括：TSV（硅通孔）形成晶圆减薄微凸点形成芯片堆叠 / 底部填充先进的 MR-MUF 已应用于 SK 海力士的 16-Hi HBM3E 方案，并引入了两项新技术：翘曲控制和细间距互连与窄间隙填充。

八 | 总封装高度增至 775 微米，芯片厚度缩减至 0.9 倍，间隙高度缩减至 0.5 倍，凸点间距缩减至 0.9 倍。展望未来，还有一些关键挑战需要解决。

九 | 首先是随着带宽需求激增带来的 HBM 功耗上升，其次是散热问题以及 TSV 区域面积。

十 | 随着 TSV 数量增长，尽管 TSV 间距不断缩小，但所占面积仍在持续增加。此外，每两代带宽近乎翻倍，给现有工艺和封装技术带来了 2.2 倍的热负担。因此，SK 海力士正在研究混合键合（Hybrid Bonding）等未来技术方案，以突破 16-Hi 堆叠限制，通过更窄的间距提供更高性能，并通过更高的导电性实现更好的散热效率。SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。即使堆叠层数增加，混合键合的热阻仍可降低 35%。

十一 | 与三星的 HPB（散热路径模块）类似，SK 海力士正在开发自己的局部热点缓解技术，名为 I-HBM，该技术在 HBM D2D PHY 区域（热点附近）嵌入高导热且电绝缘的冷却组件，打造专用散热路径，可额外降低 30% 以上的热阻。展望未来，SK 海力士计划通过 TSV 数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升 IO 速度来增加带宽，同时利用最新优化的逻辑代工工艺解决功耗 / PDN（电源分配网络）挑战，通过“无处不在”的电源 TSV 大幅改善 PDN。HBM 技术对更高功率密度、带宽和堆叠高度的持续追求，带来了显著的热学、力学和封装挑战，其驱动因素包括更厚的氧化层、更密集的 TSV 和不断攀升的引脚速度。MLMO、优化的微凸点、新兴的混合键合（用于改善热导率、工艺窗口和更细的间距）以及 I-HBM 等热点解决方案正在积极应对这些问题。然而，随着堆叠向 16-20 层高度演进，架构向与逻辑芯片更紧密的 3D 集成方向发展，成功将要求设计、材料、客户工艺和中介层技术之间更紧密的协同优化。

十二 | 行业内的持续合作对于满足未来工作负载对容量和带宽的需求仍然至关重要。该公司还在其 2.5D HBM 方案幻灯片中展示了英特尔 EMIB 封装技术，与 CoWoS-L、CoWoS-R 和 CoWoS-S 并列。值得注意的是，有传闻称英特尔和 SK 海力士将在存储领域成立合资公司。SK 海力士还展示了不同的先进封装技术如何以不同方式对 HBM / 中介层施加应力。最后，SK 海力士着眼于未来的 3D 集成，这将使其能够在加速器之上堆叠 HBM，一旦先进逻辑和先进封装技术成熟，这将是人人都想实现的一步。